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第1题
某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道，并且在正的栅源电压作用下，其漏极电流增大，则可以判断该场效应管的类型是（）。
A.N沟道增强型MOSFET
B.P沟道增强型MOSFET
C.N沟道耗尽型MOSFET
D.P沟道耗尽型MOSFET
第2题
作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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第3题
N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压VPN= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。
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第4题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，栅源电压VGS应： 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
第5题
当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
第6题
P沟道耗尽型场效应管工作在恒流区时，外加栅源电压vGS的极性为______。
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第7题
在下列场效应管中，无原始导电沟道的为 。
A.N沟道JFET
B.耗尽型PMOS管
C.耗尽型NMOS管
D.增强型PMOS管
第8题
当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时，iD 几乎仅决定于vGS。
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第9题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
第10题
N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>______, UDSQ>______。
A.UGS(th) , UGSQ-UGS(th)
B.UDSQ , UGSQ+UGS(th)
C.UGS(th) , UGSQ
D.UGS(th) , UGSQ+UGS(th)
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