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[主观题]

半导体的功函数决定于费米能级在禁带中的位置。

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第1题

对于本征费米能级位置的描述,错误的是 。

A.电子有效质量等于空穴有效质量,本征费米能级位于禁带中央

B.电子有效质量小于空穴有效质量,本征费米能级低于禁带中央

C.状态密度函数与载流子有效质量直接相关

D.本征费米能级位置随状态密度的增大而发生移动

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第2题

T=0K时p型半导体,杂质原子不包含任何电子,费米能级一定高于受主能级。
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第3题

在纯的半导体硅中掺入磷,当掺杂浓度一定,温度从室温逐步增加时,费米能级向()移动。

A.Ec

B.Ev

C.Ei

D.ED

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第4题

对于非简并n型半导体,如果杂质浓度一定,则随着温度的升高,EF将逐渐远离()。

A.禁带中央

B.导带底

C.价带顶

D.受主能级

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第5题

宽禁带半导体材料的禁带宽度是()
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第6题

T = 300 K时,计算硅中的本征费米能级相对于禁带中央的位置。 已知硅中载流子有效质量分别为mn*=1.08m0, mp*=0.56m0.

A.-12.8meV

B.-6.4meV

C.-25.6meV

D.12.8meV

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第7题

通常绝缘体的禁带宽度比半导体禁带宽度大。
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第8题

半导体、金属和绝缘体的禁带宽度不同,其导电特性不一样,金属的禁带宽度()半导体禁带宽度。

A.大于

B.等于

C.小于

D.没有可比性

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第9题

允带之间不存在能级,称为禁带。
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第10题

一般把禁带宽度大于或等于()的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。

A.1eV

B.0.5eV

C.2.3eV

D.5eV

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