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第1题
MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以电子为导电载流子，由于空穴的迁移率比电子低，因此，NMOS电路的工作速比PMOS电路快，而且PMOS使用负电源，与TTL电路不匹配，所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗？
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第2题
MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以电子为导电载流子，由于空穴的迁移率比电子低，因此，NMOS电路的工作速比PMOS电路快，而且PMOS使用负电源，与TTL电路不匹配，所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。
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第3题
CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的
A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管
B.增强型NMOS管和耗尽型PMOS管
C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管
D.增强型PMOS管和耗尽型NMOS管
第4题
CMOS传输门由 组成。
A.两个NMOS管
B.两个PMOS管
C.1个NMOS管和一个PMOS管
D.1个NMOS管
第5题
MOS型集成电路可以分为PMOS，NMOS和CMOS等类型。
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第6题
以下电路中增益最高的是____C_____.
A.PMOS共源E/E型放大电路
B.NMOS共源E/D型放大电路
C.CMOS共源E/E型放大电路
D.PMOS共源E/D型放大电路
第7题
1. 用尽可能少的晶体管实现逻辑函数f=xy+xz的CMOS复杂门电路。 2. 如图1所示为CMOS电路中含NMOS管的一半，请画出该电路中含PMOS晶体管的另一半。 3. 如图2所示为CMOS电路中含PMOS管的一半，请画出该电路中含NMOS晶体管的另一半。 4. （a）请给出如图3所示的CMOS电路的真值表。 （b）从（a）所得真值表推导出规范的积之和形式的表达式。如果只用“与”门，“或”门及“非”门实现一个代表该表达式的电路，共需要多少个晶体管。
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第8题
CMOS电路的动态功耗主要由两部分组成。一部分是电路输出状态转换瞬间MOS管的导通功耗。另一部分是因为CMOS管的负载通常是电容性的，当输出由高电平到低电平，或者由低电平到高电平转换时，会对电容进行充、放电，这个过程将增加电路的损耗。对吗？
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第9题
CMOS电路的动态功耗主要由两部分组成。一部分是电路输出状态转换瞬间MOS管的导通功耗。另一部分是因为CMOS管的负载通常是电容性的，当输出由高电平到低电平，或者由低电平到高电平转换时，会对电容进行充、放电，这个过程将增加电路的损耗。对吗？
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