题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
耗尽型N沟道MOS管栅源间电压为0时，也可工作在恒流区。（)
答案
正值、零值、负值
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A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第2题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域。
A.恒流区（饱和区、放大工作区）
B.可变电阻区
C.预夹断临界点
D.截止区
第3题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（）。
A.N沟道增强型管，工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管，工作在放大区
C.P沟道增强型管，工作在截止区
D.P沟道耗尽型管，工作在放大区
第8题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A.预夹断临界点
B.饱和区（恒流区、放大工作区）
C.可变电阻区
D.截止区
第9题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A.饱和区（恒流区、放大工作区）
B.可变电阻区
C.预夹断临界点
D.截止区
