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硅二极管的死区电压(开启电压)是0.7V

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0.5
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第1题

硅二极管的死区电压(开启电压)是0.7V
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第2题

一般情况下,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()。
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第3题

【填空题】硅二极管的死区电压是
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第4题

根据二极管的伏安特性,硅管的死区电压约0.1V。
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第5题

硅二极管的死区电压约为 。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第6题

硅二极管的死区电压约为 。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第7题

下列有关硅二极管的说法,正确的是 。

A.死区电压为0.1V,正向导通电压为0.3 V

B.死区电压为0.3 V,正向导通电压为0.5 V

C.死区电压为0.5 V,正向导通电压为0.7 V

D.死区电压为0.7 V,正向导通电压为0.9 V

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第8题

硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右
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第9题

二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V
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第10题

硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。
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