题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

根据二极管的伏安特性，硅管的死区电压约0.1V。

答案

二极管只要加正向电压就导通

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第1题

二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V

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第2题

一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（)。

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第3题

【填空题】硅二极管的死区电压是

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第4题

硅二极管的死区电压（开启电压）是0.7V

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第5题

温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。硅管的温度稳定性比锗管好

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第6题

根据普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正偏接法接到二极管两端，就可以让管子正常工作。

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第7题

硅二极管的死区电压约为。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第8题

硅二极管的死区电压约为。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第9题

因为普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正向接发接到二极管两端，就可以让管子正常导通。

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第10题

硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。

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