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[主观题]

在材料的烧结过程中,到烧结的中后期晶粒要逐渐长大,这种晶粒生长过程是平均晶粒尺寸在不改变其分布的情况下,连续长大的过程。这种晶粒长大属于

答案
流动传质
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第1题

在材料烧结时,晶粒生长过程中,小于六条边的晶粒长大,大于六条边的晶粒消失 ()。
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第2题

在材料烧结时,晶粒生长过程中,()。

A.小于六条边的晶粒长大,大于六条边的晶粒消失

B.大于六条边的晶粒趋于长大,小于六条边的晶粒趋向缩小

C.小于六条边的晶粒长大,大于六条边的晶粒也长大

D.和晶粒形状没有关系,晶粒长大就是颗粒粘结的结果

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第3题

在烧结中、后期,往往伴随着晶粒生长过程。晶粒长大对物料烧结速率的影响是()。

A.没有影响

B.延缓烧结速率

C.促进烧结速率

D.开始时促进,随着烧结时间的延长而对烧结速率起延缓作用

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第4题

材料烧结时,晶粒生长是晶界移动的结果,为保证晶粒正常生长,应控制晶界移动速率Vb与气孔移动速率Vp,当()时,晶粒正常长大。

A.Vb>>Vp

B.二者没有关系

C.Vb<<Vp

D.Vb=Vp

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第5题

在体积扩散传质为主的烧结过程中后期时,若温度和晶粒尺寸不变,则气孔率(Pc)随烧结时间(t)以()关系而减少。

A.t1/2

B.t

C.t2

D.t5

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第6题

液相烧结和固相烧结都要经历颗粒重排、气孔充填和晶粒生长这些烧结过程。
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第7题

名词解释: 烧结 泰曼温度 晶粒长大 二次再结晶
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第8题

在制造透明Al2O3陶瓷材料时,原料粉末的粒度为1μm,在烧结温度下保温0.5小时,测得晶粒尺寸为3μm。若在同一烧结温度下保温3小时,不考虑杂质条件下晶粒尺寸大约为

A.6μm

B.7μm

C.9μm

D.18μm

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第9题

在烧结中、后期的晶粒生长过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界移动的直接原因,晶界总是向着()方向移动。

A.曲率中心

B.曲率中心相反

C.曲率中心垂直

D.任意

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第10题

与无压烧结相比,热压烧结通常可使坯体在较低的温度下获得致密,并具有较小的晶粒尺寸。
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第11题

烧结时晶粒生长的推动力是()

A.晶界两边吉布斯自由能差值

B.系统表面能的降低

C.系统的化学位梯度

D.大晶粒与小晶粒的吉布斯自由能差值

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