题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
相对于CVD而言，PVD工艺温度低，工艺原理简单，但所制备薄膜的台阶覆盖性、附着性和致密性不如CVD。
答案
正确
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A.台阶覆盖特性
B.薄膜致密性
C.薄膜厚度均匀性
D.薄膜宽度
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第2题
下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的（）。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低
A.⑴⑵⑷
B.⑵⑶⑷
C.⑴⑶⑷
D.⑴⑵⑶⑷
第6题
下面哪些说法是正确的？
A.溶胶凝胶法制膜反应温度低，均匀性好，化学组分可以精确控制，设备简单，成本低，制备的薄膜致密性好，适合工业生产。
B.溶胶是指有胶体颗粒分散悬浮于其中的液体。
C.凝胶是指内部成网状结构，网络间隙中含有液体的固体。
D.溶胶凝胶法适合制备大面积薄膜。
