题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。
答案
自由电子和空穴
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A.电子有效质量等于空穴有效质量，本征费米能级位于禁带中央
B.电子有效质量小于空穴有效质量，本征费米能级低于禁带中央
C.状态密度函数与载流子有效质量直接相关
D.本征费米能级位置随状态密度的增大而发生移动
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第2题
T = 300 K时，计算硅中的本征费米能级相对于禁带中央的位置。 已知硅中载流子有效质量分别为mn*=1.08m0, mp*=0.56m0.
A.-12.8meV
B.-6.4meV
C.-25.6meV
D.12.8meV
