题3-2-10 以下不是化学气相沉积工艺所成薄膜质量指标的是 。

A.台阶覆盖特性

B.薄膜致密性

C.薄膜厚度均匀性

D.薄膜宽度

A.磁控溅射法

B.溶胶-凝胶法

C.金属有机物化学气相沉积

D.激光诱导化学气相沉积

A.溶胶凝胶法制膜反应温度低，均匀性好，化学组分可以精确控制，设备简单，成本低，制备的薄膜致密性好，适合工业生产。

B.溶胶是指有胶体颗粒分散悬浮于其中的液体。

C.凝胶是指内部成网状结构，网络间隙中含有液体的固体。

D.溶胶凝胶法适合制备大面积薄膜。

A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜

B、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。

C、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。

D、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。

A、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。

B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。

C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。

D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。

A.含H；

B.抗腐蚀性好；

C.台阶覆盖性较好；

D.是中温工艺；

E.常作为芯片的保护膜；

F.常作为腐蚀掩膜。

A.等离子体增强化学气相沉积法（PCVD）；

B.改进的化学气相沉积法（MCVD）；

C.低压化学气相沉积法（LPCVD）；

D.气相轴向沉积法(VAD)。