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[主观题]
试分析图2．3．10所示的NMOS电路，写出其逻辑表达式，说明它是什么逻辑电路？
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)=-4V,IDss=2.5 mA。试求ID和UDS 。
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第1题
图1.15(教材图1.6.3)所示的共源极电路中,UDD=15 V, UGG;=2V,RD=5.1kΩ,耗尽型NMOS管的UGS(off
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第3题
场效晶体管放大电路如图3.18(教材图3.09)所示，已知UDD=20V,R1=300kΩ,R2=100kΩ,R3=2 MΩ,RD=22kΩ,Rs=12kΩ, RL =30kΩ,耗尽型NMOS管的UGS(off)= -1.2 V,IDss=0.5mA,gm=0.4 mA/V。试求:(1)静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输人、输出电阻。
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第4题
图3. 17(教材图3.3.1)所示场效晶体管放大电路,已知UDD=20V ,RG=2MΩ,RD=47kΩ,RS=10kΩ,耗尽型NMO
图3. 17（教材图3.3.1)所示场效晶体管放大电路,已知UDD=20V ,RG=2MΩ,RD=47kΩ,RS=10kΩ,耗尽型NMO
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S管的UGS(off)= -2.5V,IDss=0.5mA,gm=1.2 mA/V,RL=100kΩ。试求:(1)静态工作点ID、UGS和UDS的值;(2)电压放大倍数Au、输人电阻ri和输出电阻ro。
第6题
电路如图题6.1.3所示，NMOS管的参数为: VT=1V，Kn=50μA/V2, λn=0。PMOS管的管的参数为: VT=-1 V,
Kp=25μA/V2, λ=0,设全部管子均运行于饱和区，试求R、I3，和I4的值。各管的W/L值见图示。
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第7题
电路如下图所示，NMOS管的参数为：VT=1V，KN=50μA／V2，λ=0，PMOS管的参数为：VT=－1V，KP=25μA／V2，λ=0，设全部管子均
电路如下图所示，NMOS管的参数为：VT=1V，KN=50μA/V2，λ=0，PMOS管的参数为：VT=-1V，KP=25μA/V2，λ=0，设全部管子均工作于饱和区，试求R、I3和I4的值。各管的W/L值
第8题
电路如图题7.1.1所示，IREF=I1=1mA， NMOS管的参数为：VTN=1V，Kn=50μA/V2
电路如图题7.1.1所示，IREF=I1=1mA， NMOS管的参数为：VTN=1V，Kn=50μA/V2，λn=0。PMOS管的参数为：VTP= -1V，KP=25μA/V，λP=0，设全部管子均运行于饱和区，试求R、I3和I4的值。各管的W/L值见图示。
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第9题
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示，将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
CMOS共源放大电路如图题4.11.2（主教材图4.6.8a)所示，将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
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MOS管的|VT|=0.8V，λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2，(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2，(W/L)T2·T3=30，VDD=5V。试用SPICE分析：(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时，确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1)，并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。
