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[单选题]

晶片切割坏品模式底裂造成的原因?()

A.刀痕不好

B.切割速度太快

C.用错刀

D.ABC

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第1题

晶片切割坏品模式氧化产生的原因?()

A.药水泵为打开

B.切割后Wafer没有及时清洗

C.以上AB项都对

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第2题

晶片切割坏品模式粗粒造成的原因?()

A.来料的问题

B.Wafer背面有异物

C.Wafer背面有蓝胶丝

D.ABC

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第3题

切割Wafer时机器报警刀痕过浅造成的原因?()

A.参数问题

B.切割台问题

C.测高问题

D.ABC

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第4题

切割晶片中检查时,发觉刀痕不在切割道中央(即将切偏)操作员应怎样处理?()

A.无需调正,继续生产;

B.刀痕未切入晶粒铝面可继续生产;

C.必须立即停机,调校刀痕至切割道中间位置,并跟进至合符切割品质要求

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第5题

切割Wafer时机器报警已到刀片寿命更换造成的原因?()

A.每种刀有一定的寿命,到期需要更换

B.参数不对(尺寸)

C.设备精度问题

D.ABC

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第6题

提高火焰切割速度的途径有()。

A.改进切割枪结构

B.二次切割

C.尽量缩短非切割时间

D.实现切割自动化

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第7题

晶片切割机台接触性测高有哪些机台?()

A.DAD361

B.DAD361/341

C.DAD361/341/DFD641

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第8题

对于接触性测高机台切割检查时,刀痕过深怎样处理?()

A.可按升刀痕(5/次);还未OK,需找机修处理

B.手动测高就行

C.找小组长或机修处理

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第9题

穿反片会造成什么坏品?()

A.反转成形不可接受

B.裂胶身

C.断脚

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第10题

晶圆厚度≤200μm的易背崩且划道内存在铝垫产品划片时选用()模式切割

A.DAD3350单轴切割

B.DAD321单轴切割

C.双轴STEP切割模式

D.双轴DUAL

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