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[主观题]

简述化学气相沉积CVD的原理和设备结构。

答案
常压化学气相沉积,低压化学气相沉积,激光化学气相沉积,金属有机化合物化学气相沉积,等离子体化学气相沉积等目的是制备耐磨,抗氧化,抗腐蚀固态薄膜,适用于复杂零件及难熔金属、石墨、陶瓷等基体材料零件处理,可沉积难熔金属
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第1题

什么叫化学气相沉积?常用的化学气相沉积方法有哪些?
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第2题

以下哪种不是预制棒制备工艺?

A.等离子体增强化学气相沉积法(PCVD);

B.改进的化学气相沉积法(MCVD);

C.低压化学气相沉积法(LPCVD);

D.气相轴向沉积法(VAD)。

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第3题

碳纳米管的制备方法常见的主要有三种:

A.电弧放电法、PVD和激光蒸发法

B.SPS、化学气相沉积法和激光蒸发法

C.PVD、化学气相沉积法和激光蒸发法

D.化学气相沉积法和激光蒸发法

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第4题

根据化学反应的形式,化学气相沉积可分为

A.热分解反应沉积

B.合成反应沉积

C.化学反应沉积

D.热还原反应沉积

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第5题

金属有机物化学气相沉积(简称MOCVD),是一种利用化学反应从气相进行薄膜晶体生长的方法。
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第6题

通过物理法和化学法可以得到所需的纳米薄膜材料,属于物理法制备纳米薄膜材料的是()

A.磁控溅射法

B.溶胶-凝胶法

C.金属有机物化学气相沉积

D.激光诱导化学气相沉积

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第7题

热辅助化学气相沉积技术中常用的反应腔类型主要包括分批式系统和 系统。
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第8题

题3-2-9 以下不是化学气相沉积工艺所能完成的是 。

A.沉积多层布线中金属层之间的绝缘层

B.器件隔离结构

C.MOS晶体管的栅极介质层

D.防止杂质外扩的覆盖层以及钝化层

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