题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

对于硅晶体管来说其死区电压约为：

A.0.1V

B.0.5V

C.0.7V

D.0.3V

答案

0．5V

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第1题

硅晶体管的死区电压约为。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第2题

二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V

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第3题

硅二极管的死区电压约为。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第4题

硅二极管的死区电压约为。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第5题

在室温27度时，硅二极管的死区电压大约为 V。

A.0.3

B.0.2

C.0.5

D.0.7

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第6题

一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（)。

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第7题

硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。

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第8题

下列有关硅二极管的说法，正确的是。

A.死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 V

B.死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 V

C.死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V

D.死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V

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第9题

温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。硅管的温度稳定性比锗管好

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第10题

硅二极管正向导通时，其两端电压约为（）V

A.0

B.0.7

C.0.2

D.1.0

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