题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A.结型管

B.增强型MOS管

C.耗尽型MOS管

D.以上都可以

答案

B、增强型MOS管

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第1题

vGS=0V时能够工作在恒流区的场效应管有。

A.结型场效应管

B.增强型MOS管

C.耗尽型MOS管

D.无效选项

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第2题

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。（注：多选）

A.结型管

B.增强型MOS管

C.耗尽型MOS管

D.均可以

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第3题

UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（)。（填写增强型MOS管/耗尽型MOS管/JFET）

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第4题

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

A.增强型NMOS

B.增强型PMOS

C.耗尽型NMOS

D.耗尽型PMOS

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第5题

耗尽型N沟道MOS管栅源间电压为0时，也可工作在恒流区。（)

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第6题

增强型N沟道MOS管栅源间电压为0时，也可工作在恒流区。（)

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第7题

绝缘栅型场效应管又称为MOS场效应管或简称为MOS管，由于结构上的不同又分（）。

A.N型和P型

B.NPN型和PNP型

C.增强型和耗尽型

D.绝缘栅型和结型

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第8题

N沟道增强型MOS管的开启电压VTN < 0， P沟道耗尽型MOS的开启电压VTP > 0。

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第9题

场效应管特性曲线仿真。要求： 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管，仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线，寻找其差别。

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第10题

P型增强型MOS管当栅极加上正向偏压后沟道出现，MOS管导通。

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