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第1题
当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
第2题
N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为 。
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第3题
对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为负，并且只能当UGS小于开启电压 时，才能形有漏极电流。
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第4题
对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（）电压。（填写正/负）
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第5题
场效应管特性曲线仿真。要求： 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管，仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线，寻找其差别。
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第6题
增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。
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第7题
耗尽型N沟道MOS管栅源间电压为0时，也可工作在恒流区。（)
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第8题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（）。
A.N沟道增强型管，工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管，工作在放大区
C.P沟道增强型管，工作在截止区
D.P沟道耗尽型管，工作在放大区
第9题
各种场效应管对电压uDS极性的要求由（）决定。
A.uGS的极性
B.耗尽型还是增强型
C.沟道的类型
D.结型还是MOS型
第10题
P沟道耗尽型MOS管中，外加电压UDS的极性为（）。
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