以下关于MOS管的说法正确的是
A.MOS管是电压控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电
B.MOS管是电流控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电
C.MOS管是电压控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
D.MOS管是电流控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
A.MOS管是电压控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电
B.MOS管是电流控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电
C.MOS管是电压控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
D.MOS管是电流控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
第1题
A.MOS管是电压控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电
B.MOS管是电流控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电
C.MOS管是电压控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
D.MOS管是电流控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
第9题
A.IGBT是一种场控器件,其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的
B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时,MOS管中形成导电沟,为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通
C.由于GTR具有电导调制效应,导通电阻小,使得高耐压的IGBT具有很小通态压降
D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时,MOS管导电沟道消失,晶体管被切断,使得IGBT关断
第10题
A.IGBT是一种场控器件,其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。
B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时,MOS管中形成导电沟,为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。
C.由于GTR具有电导调制效应,导通电阻小,使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。
D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时,MOS管导电沟道消失,晶体管被切断,使得IGBT关断。
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