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[单选题]

在室温27度时,锗二极管的死区电压大约为 V。

A.0.1

B.0.2

C.0.3

D.0.5

答案
0.1
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第1题

在室温27度时,硅二极管的死区电压大约为 V。

A.0.3

B.0.2

C.0.5

D.0.7

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第2题

二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V
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第3题

一般情况下,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()。
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第4题

温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
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第5题

硅二极管的死区电压约为 。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第6题

硅二极管的死区电压约为 。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第7题

二极管导通电压不需要超过死区电压
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第8题

二极管导通电压不需要超过死区电压
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第9题

硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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第10题

设某二极管反向电压为10V时,反向电流为 0.1μA 。在保持反向电压不变的条件下,当二极管的结温升高10℃,反向电流大约为()。

A.0.05μA

B.0.1μA

C.0.2μA

D.1μA

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