光刻工艺一般都要经过涂胶、（)、曝光、（)、坚膜、腐蚀、（)等步骤。

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.坚膜

光刻加工的主要过程有涂胶、曝光、显影与烘片、刻蚀、剥膜。()

此题为判断题(对，错)。

A.原图

B.照相

C.涂覆

D.曝光

E.显影

F.固膜G.腐蚀

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()。

A.刻制图形

B.绘制图形

C.制作图形

A.电子束

B.离子束

C.激光束

D.超声波

E.等离子体

A.腐蚀

B.离子注入

C.光刻

D.CVD

半导体工艺中Si3N4一般采用()进行腐蚀，而SiO2则一般采用()进行腐蚀，Si则一般采用()和()进行腐蚀。