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第1题
上芯机生产的产品单个空洞面积()芯片面积为不良,合计空洞面积芯片面积为不良。
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第2题
芯片边缘崩缺伤及芯片表面有效区域为不良。()
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第3题
芯片倾斜度大于25.4μm为不良。()
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第4题
众智芯片不是突破目前单个芯片功能和性能极限、支撑区块链高效运行的发展方向。()
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第5题
MAPVERIFY功能选项必须设置为Skipink模式,当PR判断为芯片不良时,机台将自动跳过inkdie。()
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第6题
凡金属物残留在焊点上无法用20PSI气枪或纯水洗掉者,或污染物附着芯片表面且面积大于芯片面积5%为不良。()
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第7题
崩单晶异常,指当崩缺伤及芯片有效区域时,视为不良。()
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第8题
点胶3D产品点胶头划伤底层芯片且深及有效铝路且损伤超过1/3宽度为不良。()
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第9题
多芯片封装技术以圆片为加工对象,在圆片上同时对众多芯片进行封装、老化、测试,最后切割成单个器件,可以直接贴装到基板或印刷电路板上。()
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第10题
背金属晶圆(背金或背银)背金属如有脱落,下面哪些说法是正确的()。
A.背金属脱落不会造成产品电性能不良
B.单个芯片镀层脱落≥10%为不良
C.整个圆片镀层脱落≥5%为不良
D.整个圆片镀层脱落≥20%为不良
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