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第1题
什么是二极管的死去电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?
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第2题
一般情况下,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()。
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第3题
【判断题】硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
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第4题
硅材料二极管死区电压的典型值是 ;正向导通电压范围是 。
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第5题
【判断题】硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
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第6题
温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
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第7题
硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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第8题
硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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第9题
根据二极管的伏安特性,硅管的死区电压约0.1V。
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第10题
根据二极管的伏安特性,硅管的死区电压约0.1V
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