题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
答案
N 沟道耗尽型
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
更多“当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正…”相关的问题
第2题
某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道，并且在正的栅源电压作用下，其漏极电流增大，则可以判断该场效应管的类型是（）。
A.N沟道增强型MOSFET
B.P沟道增强型MOSFET
C.N沟道耗尽型MOSFET
D.P沟道耗尽型MOSFET
第9题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（）。
A.N沟道增强型管，工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管，工作在放大区
C.P沟道增强型管，工作在截止区
D.P沟道耗尽型管，工作在放大区
