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[主观题]

【填空题】锗二极管的死区电压是

答案

A

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第1题

一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（)。

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第2题

【填空题】硅二极管的死区电压是

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第3题

【填空题】锗二极管的导通电压是

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第4题

二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V

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第5题

温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。硅管的温度稳定性比锗管好

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第6题

在室温27度时，锗二极管的死区电压大约为 V。

A.0.1

B.0.2

C.0.3

D.0.5

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第7题

硅二极管的死区电压（开启电压）是0.7V

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第8题

硅二极管的死区电压（开启电压）是0.7V

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第9题

二极管的导通条件是（）

A.UD>0

B.UD>死区电压

C.UD>击穿电压

D.UD < 死区电压

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第10题

【判断题】硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。

A.Y.是

B.N.否

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